簡介、特點、性能

通過寬總線（通常為1024位或2048位）和高速數據傳輸實現高帶寬，遠超傳統GDDR5或GDDR6。 低功耗：采用3D堆疊和TSV技術，縮短數據傳輸距離，降低功耗，適合對功耗敏感的設備。 小尺寸：3D堆疊設計節省空間，適合緊湊型設備。 高密度：通過堆疊多層DRAM芯片，提供更大容量，滿足高性能計算需求。 低延遲：短數據傳輸路徑和寬總線有效降低延遲，提升性能。 高可靠性：TSV技術和先進製造工藝增強瞭穩定性和可靠性。 兼容性：支持與多種處理器（如GPU、CPU、FPGA）集成，應用廣泛。 散熱性能：3D堆疊設計優化瞭散熱，確保高效運行。

應用場景

HBM廣泛應用於需要高帶寬和低延遲的領域，如高性能計算、AI、圖形處理、網絡通信、汽車電子、金融科技、醫療影像和消費電子等

相關企業

Nvidia, AMD, Huawei, Cambricon, T-Head Micron, SKHynix, Samsung, CXMT