HBM，即高带宽存储器，是一种创新型的内存芯片，旨在克服传统内存带宽的限制。通过采用尖端的封装技术，如TSV硅通孔技术，HBM能够垂直整合多个DRAM芯片，从而提供高带宽和巨大的内存容量。这一技术已成为当前科技领域的热点，吸引了众多研究者和工程师的关注。
近年来，随着AI的兴起，一种具有高带宽低功耗特征的存储芯片——HBM芯片也随之爆火，包括 NVIDIA H100、AMD MI300等均使用了HBM芯片。现在，三星计划进一步扩大HBM芯片的使用范围，将其带到手机市场。
据韩媒 SEDaily 在 IEEE ISSCC 2025 国际固态电路会议现场的采访，三星电子在本次会议上公布了其 HBM 内存路线图，分享了预设的性能参数目标：
