近年、AIの台頭に伴い、高帯域幅低消費電力の特徴を持つメモリチップであるHBMチップも爆発し、NVIDIA H 100、AMDMI 300などを含めてHBMチップが使用されている。現在、サムスンはHBMチップの使用範囲をさらに拡大し、携帯電話市場に持ち込む計画だ。

韓国・ソウル経済日報によると、サムスン電子の半導体・装置ソリューション（DS）部門のソン・ジェヒョク首席技術者は、LPW DRAMメモリを搭載した初のモバイル製品を2028年に発売すると明らかにした。LPW DRAMはLPDDRAMをスタックすることにより、I/Oインタフェースを大幅に増加させ、消費電力を減少させ、性能を向上させることができ、垂直リードボンディングの新しいパッケージ技術を採用し、「モバイルHBM」と呼ばれている。その帯域幅は200 GB/s以上に達することができ、既存のLPDDR 5 xより166%向上する。

HBMはHigh Bandwidth Memoryの略で、高帯域幅メモリを意味していることが分かった。これは3 Dスタック技術に基づく高性能動的ランダムアクセスメモリ（DRAM）であり、極めて高いデータ帯域幅を必要とする応用のために設計されている。それは多層DRAMチップを垂直に積み重ね、**シリコン貫通孔（TSV）と仲介層（Interposer）**を利用してGPU、CPU、AIアクセラレータなどのプロセッサとの高速相互接続を実現し、メモリ帯域幅とエネルギー効率を大幅に向上させる。

例えば、単一のHBMチップの帯域幅は数百GB/sから数TB/sに達することができる（例えば、HBM 3の単一スタック帯域幅は819 GB/sに達する）、同時に、GDDR 6と比べて、短距離相互接続と先進プロセスのおかげで、HBMは同じ帯域幅で約50%消費電力が低下した。